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SiR850DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
60
V GS = 10 thru 4 V
1.0
0. 8
50
40
0.6
T C = 25 °C
30
V GS = 3 V
0.4
20
0.2
10
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.00 8 5
0.0070
V GS = 4.5 V
1200
900
C iss
V GS = 10 V
600
C oss
0.0055
300
C rss
0.0040
0
0
20
40
60
8 0
100
120
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 12.5 V
1.5
I D = 20 A
V GS = 10 V
V DS = 6.25 V
6
4
2
0
V DS = 1 8 .75 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
5
10
15
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68825
S-82287-Rev. B, 22-Sep-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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